T.Maruyama, K.Yorozu, T.Noguchi, Y.Seki, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi: "Surface treatment of GaN and InN using (NH_4)_2S_x"Phys.Stat.Sol.(c). 0・7. 2031-2034 (2003)
T.Maruyama, K.Yorozu, T.Noguchi, Y.Seki, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi: "Surface treatment of GaN and InN using (NH_4)_2S_x"Phys.Stat.Sol.(c). 0・7. 2031-2034 (2003)
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T.Maruyama、K.Yorozu、T.Noguchi、Y.Seki、Y.Saito、T.Araki、Y.Nanishi：“使用 (NH_4)_2S_x 对 GaN 和 InN 进行表面处理”Phys.Stat.Sol.(c) 0・7. 2031-2034 (2003)
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