Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon
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使用 GSMBE 在 Si 上异质外延 3C-SiC 并在其上形成外延石墨烯
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. N. Filimonov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Suemitsu;S. N. Filimonov
