T.Arai: "First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistot and Reduction of Base-Collector Canacitance"Jpn. J. Appl. Phys.. 39. L503 (2000)
T.Arai: "First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistot and Reduction of Base-Collector Canacitance"Jpn. J. Appl. Phys.. 39. L503 (2000)
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T.Arai：“首次制造GaInAs/InP埋入金属异质结双极晶体管并减少基极-集电极电容”Jpn。
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