Growth of epitaxial thin films of scandium nitride on 100-oriented silicon
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.01.045
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发表时间：
2008-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Moram;S. Novikov;A. Kent;C. Nörenberg;C. T. Foxon;C. Humphreys
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Moram;S. Novikov;A. Kent;C. Nörenberg;C. T. Foxon;C. Humphreys
