Critical size for the generation of misfit dislocations and their effects on electronic properties in GaAs nanosheets on Si substrate
Critical size for the generation of misfit dislocations and their effects on electronic properties in GaAs nanosheets on Si substrate
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Si 衬底上 GaAs 纳米片中失配位错产生的临界尺寸及其对电子性能的影响
DOI：
10.1063/1.4818957
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发表时间：
2013
影响因子：
3.2
通讯作者：
and A. Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Yuan;K. Shimamura;F. Shimojo;and A. Nakano
