MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討
MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討
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MOVPE法在n+-(211)Si上生长CdTe生长层的生长退火研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安田和人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松原敏樹;小林竜大;後藤颯汰;藤井成弥;中島幸寛;平野颯涼;ニラウラ マダン;安田和人
