プロトンビームライティングによるSiC中へのシリコン空孔の形成
プロトンビームライティングによるSiC中へのシリコン空孔の形成
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质子束照明在 SiC 中形成硅空位
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島 武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
本多 智也;Kraus Hannes;加田 渉;小野田 忍;春山 盛善;佐藤 隆博;江夏 昌志;神谷 富裕;川端 駿介;三浦 健太;花泉 修;土方 泰斗;大島 武
