Electronic structure and stability of ring clusters in the Si(111)-(√7×√7)Co surface
Electronic structure and stability of ring clusters in the Si(111)-(√7×√7)Co surface
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Si(111)-(√7×√7)Co表面环团的电子结构和稳定性
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Cahill
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tsai;J. Dow;P. Bennett;D. Cahill
通过将局域密度近似、自旋相关赝函数理论结果与数据进行比较，研究了 Si(111)-(√7×√7)Co 表面的环簇结构。在环团簇模型中，每个表面晶胞包含一个取代 Si 表面原子的 Co 原子；然后，该 Co 原子被三个“桥接”和三个“封端”Si 吸附原子覆盖，从而产生相对于 Co 位点的 C 3 点群对称性。我们确认了环簇结构的能量稳定性，并确定了原子坐标，包括 Co 原子位于表面平面上方的高度 0.46 A
The ring-cluster structure of the Si(111)-(√7×√7)Co surface is investigated by comparing local-density approximation, spin-dependent pseudofunction theoretical results with data. In the ring-cluster model, each surface unit cell contains a single Co atom substituting for a Si surface atom; this Co atom is then covered by three «bridging» and three «capping» Si adatoms, yielding C 3 point-group symmetry with respect to the Co site. We confirm the energetic stability of the ring-cluster structure, and determine atomic coordinates, including the height, 0.46 A, that the Co atom lies above the surface plane