HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション:過渡状態解
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HfO2/AlGaN/GaN MOSFET 的器件仿真：瞬态解决方案
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
林慶寿,岸本茂,水谷孝
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akira Miyazaki;Takayuki Yamazaki;Taikan Suehara;Shoji Asai;Toshita ka Idehara;et al.;林慶寿,岸本茂,水谷孝
