Dose designing and fabrication of 4H-SiC double RESURF MOSFETs
Dose designing and fabrication of 4H-SiC double RESURF MOSFETs
复制标题
4H-SiC 双 RESURF MOSFET 的剂量设计和制造
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kimoto 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Shimanoe;R. Matsumoto;T.Kimoto 他;T.Kimoto 他
