Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb
Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb
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GaSb 上 MBE 生长的 Ga1−xInxSb (x<0.2) 的临界厚度
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.11.083
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发表时间：
2009
影响因子：
1.8
通讯作者：
B. Fimland
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Nilsen;M. Breivik;E. Selvig;B. Fimland
