In-situ monitoring of antiphase domain evolution during atomic layer MBE (ALMBE) and MBE growth of GaAs/Si(001) by reflectance difference
In-situ monitoring of antiphase domain evolution during atomic layer MBE (ALMBE) and MBE growth of GaAs/Si(001) by reflectance difference
复制标题
通过反射率差异原位监测 GaAs/Si(001) 原子层 MBE (ALMBE) 和 MBE 生长过程中的反相域演化
DOI：
--
复制
发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F. Briones
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. González;L. González;F. Briones
