Growth of gallium nitride by hydride vapor-phase epitaxy
Growth of gallium nitride by hydride vapor-phase epitaxy
复制标题
氢化物气相外延生长氮化镓
DOI：
10.1016/s0022-0248(97)00075-4
复制
发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Johnson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Molnar;W. Götz;L. Romano;N. Johnson
