High electron concentrations in MOCVD-grown Si-doped dilute AlxGa1-xN on sapphire
High electron concentrations in MOCVD-grown Si-doped dilute AlxGa1-xN on sapphire
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蓝宝石上 MOCVD 生长的硅掺杂稀 AlxGa1-xN 中的高电子浓度
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Kamiyama and I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Monemar;P. P. Paskov;J. P. Bergman;K. Takeda;M. Iwaya;T. Takeuchi;S. Kamiyama and I. Akasaki
