High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process
High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process
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使用高 k/金属栅极最后工艺制造的高性能应变 Si0.5Ge0.5 量子阱 p-MOSFET
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
3.1
通讯作者：
Qing-Tai Zhao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yi Zhao;Miao Zhang;Xi Wang;Qing-Tai Zhao
