Growth and Annealing Condition of high Al Content p-type AlGaN for deep UV-LEDs
Growth and Annealing Condition of high Al Content p-type AlGaN for deep UV-LEDs
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用于深紫外 LED 的高铝含量 p 型 AlGaN 的生长和退火条件
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Obata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Obata
