Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging
Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging
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蚀坑法与多光子激发光致发光成像在 HVPE 生长 GaN 中位错分类的比较研究
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and R. Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tsukakoshi;T. Tanikawa;M. Uemukai;and R. Katayama
