Two‐electron repulsion integrals over Gaussian s functions
Two‐electron repulsion integrals over Gaussian s functions
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高斯函数上的双电子斥力积分
DOI：
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Pople
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Gill;Benny G. Johnson;J. Pople
我们提出了一个有效的方案来评估[0]（m）积分，出现在许多从头算量子化学两电子积分算法。该计划所需的浮点运算（FLOPS）的总数已被仔细地最小化，无论是在多极扩展的积分是允许的情况下，这是不允许的情况下。该算法基于一个修正的Chebyshev插值公式，可以非常便宜地计算函数exp（-T）和积分Fm（T）= f0 1 u2 mexp（-Tu 2）du
We present an efficient scheme to evaluate the [0] (m) integrals that arise in many ab initio quantum chemical two-electron integral algorithms. The total number of floating-point operations (FLOPS) required by the scheme has been carefully minimized, both for cases where multipole expansions of the integrals are admissable and for cases where this is not so. The algorithm is based on the use of a modified Chebyshev interpolation formula to compute the function exp(-T) and the integral F m (T)=f 0 1 u 2m exp(-Tu 2 ) du very cheaply