Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス
Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス
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□使用Si上Ge层的有源光学器件
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川靖彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Suda;Y. Sugioka;R. Kunimoto;H. Tanoue;H. Takikawa;H. Ue;K. Shimizu and Y. Umeda;國本 隆司， 米村 泰一郎，須田 善行，田上 英人，滝川 浩史，植 仁志，清水 一樹，梅田 良人;Yasuhiko Ishikawa;石川靖彦
