3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
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具有超低比导通电阻的 3.3 kV SiC 埋栅静态感应晶体管 (SiC-BGSIT)
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsutomu YATSUO
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yasunori TANAKA ;Akio TAKATSUKA;Koji YANO;Norio MATSUMOTO;Tsutomu YATSUO
