Defect luminescence and lattice strain in Mn2+ doped ZnGa2O4
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DOI：
10.1016/j.physb.2016.03.022
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发表时间：
2016-06
影响因子：
2.8
通讯作者：
K. Somasundaram;K. P. Abhilash;V. Sudarsan;P. Selvin;R. Kadam
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Somasundaram;K. P. Abhilash;V. Sudarsan;P. Selvin;R. Kadam
