CURRENT-DISTRIBUTION EFFECTS IN MICROSTRUCTURES FOR PERPENDICULAR MAGNETORESISTANCE EXPERIMENTS

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垂直磁阻实验微观结构中的电流分布效应

DOI：
10.1063/1.355762
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发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Janssen
H. Janssen
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
S. Lenczowski;R. Veerdonk;M. Gijs;J. Giesbers;H. Janssen

文献摘要

被引文献

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我们提出了一个简单的欧姆模型来计算垂直磁阻实验中小柱状结构中的电流分布。这些计算结果与基于有限元方法的三维静电模拟结果一致，有利于微结构多层材料磁阻数据的分析。
We present a simple Ohmic model to calculate the current distribution in small pillar‐like structures for perpendicular magnetoresistance experiments. These calculations are consistent with three‐dimensional electrostatic simulations, based on the finite element method, and facilitate the analysis of magnetoresistance data of microstructured multilayers.