Raman scattering study of dopant homogeneity in GaP and GaAs single crystals

Raman scattering study of dopant homogeneity in GaP and GaAs single crystals
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GaP 和 GaAs 单晶中掺杂剂均匀性的拉曼散射研究

DOI：
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发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Siegel
W. Siegel
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
G. Irmer;J. Monecke;W. Siegel

文献摘要

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本文报道了拉曼散射作为一种非破坏性的高空间分辨率的方法，适用于测定极性半导体中与掺杂剂偏析有关的载流子分布。研究了GaP和GaAs单晶。结果与电测量结果吻合良好。 Ramanspektroskopie的分析是一种零重力的方法，它具有更高的粗糙度，可以通过极化Halbleitern中的不均匀的Ladungstragerprofilen来估计。GaP-和GaAs-晶体韦尔登是可以理解的。结果是通过电子测量得到的。
Application of Raman scattering as a non-destructive method with high spatial resolution suitable for the determination of charge carrier profiles connected with dopant segregations in polar semiconductors is reported. Single crystals of GaP and GaAs are investigated. The results are in good agreement with electrical measurements. Die Anwendung der Ramanspektroskopie als einer zerstorungsfreien Methode mit hoher raumlicher Auflosung zur Bestimmung von durch Dotierinhomogenitaten hervorgerufenen Ladungstragerprofilen in polaren Halbleitern wird beschrieben. GaP- und GaAs-Einkristalle werden untersucht. Die Resultate sind in guter ubereinstimmung mit elektrischen Messungen.