Erratum: “On the location and stability of charge in SiO2/SiNx dielectric double layers used for silicon surface passivation” [J. Appl. Phys. 115, 144105 (2014)]
Erratum: “On the location and stability of charge in SiO2/SiNx dielectric double layers used for silicon surface passivation” [J. Appl. Phys. 115, 144105 (2014)]
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勘误：“用于硅表面钝化的 SiO2/SiNx 电介质双层中的电荷位置和稳定性”[J. Phys. 115, 144105 (2014)]
DOI：
10.1063/1.4915629
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发表时间：
2015
影响因子：
3.2
通讯作者：
P. Wilshaw
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. S. Bonilla;C. Reichel;M. Hermle;P. Wilshaw
