Single-electron transistors based on Al/AlO/sub x//Al and Nb/AlO/sub x//Nb tunnel junctions
Single-electron transistors based on Al/AlO/sub x//Al and Nb/AlO/sub x//Nb tunnel junctions
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基于 Al/Al2O/sub x//Al 和 Nb/Al2O/sub x//Nb 隧道结的单电子晶体管
DOI：
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发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
L. Fritzsch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Bluthner;M. Gotz;A. Hadicke;W. Krech;T. Wagner;H. Muhlig;H. Fuchs;U. Hubner;D. Schelle;E. Kley;L. Fritzsch
作为制备超小型隧道结的阴影蒸发方法的替代方法，我们建立了所谓的自对准在线技术。它被应用于普通的Al/AlO/sub x//Al型单电子晶体管的制作，并首次应用于Nb/AlO/sub x//Nb基单电子晶体管的制作。在几百毫开尔文的范围内的温度下的样品的表征揭示了准粒子电流的充电效应（库仑阻塞和门调制）。
As an alternative to the shadow evaporation method for the preparation of ultrasmall tunnel junctions we have established the so-called self-aligned in-line technique. It was applied to the fabrication of common Al/AlO/sub x//Al-type and, for the first time, Nb/AlO/sub x//Nb-based single-electron transistors. The characterization of the samples at temperatures in the range of a few hundred millikelvins reveals charging effects (Coulomb blockade and gate modulation) of the quasiparticle current.