熱フィラメントCVD法により成長した 高濃度リンドープダイヤモンド(111)薄膜の電気的特性
熱フィラメントCVD法により成長した 高濃度リンドープダイヤモンド(111)薄膜の電気的特性
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热丝CVD法生长高浓磷掺杂金刚石(111)薄膜的电学性能
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
片宗 優貴，和泉 亮，市川 公善，小泉 聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuki Katamune;Akira Izumi;Kimiyoshi Ichikawa;Satoshi Koizumi;片宗 優貴，和泉 亮，市川 公善，小泉 聡
