High-mobility (>100 cm2V-1s-1) In2O3:H Thin-film Transistors by Solid-phase Crystallization
High-mobility (>100 cm2V-1s-1) In2O3:H Thin-film Transistors by Solid-phase Crystallization
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通过固相结晶制备高迁移率 (>100 cm2V-1s-1) In2O3:H 薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Mamoru Furuta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yusaku Magari;Wenchang Yeh;and Mamoru Furuta
