ルブレン単結晶と強磁性Ni界面への電子受容体挿入によるショットキーバリアの低減
ルブレン単結晶と強磁性Ni界面への電子受容体挿入によるショットキーバリアの低減
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通过将电子受体插入红荧烯单晶和铁磁 Ni 界面来降低肖特基势垒
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
北村雄太
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kakuda;K. Makino;T. Ishida;S. Kuboya;K. Onabe;北村雄太
