LIFETIME MEASUREMENTS OF EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS

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DOI:
10.1063/1.1722285
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发表时间:
1956-01-01
影响因子:
3.2
通讯作者:
HARRICK, NJ
HARRICK, NJ
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
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作者:
HARRICK, NJ

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