Energy relaxation time of hot carriers photoexcited in InGaN

Energy relaxation time of hot carriers photoexcited in InGaN
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InGaN 中光激发热载流子的能量弛豫时间

DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
physica status solidi(c) 5
影响因子：
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通讯作者：
A. Tackeuchi
A. Tackeuchi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T. Ushiyama;T. Toizumi;Y. Nakazato;A. Tackeuchi

文献摘要

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