Y. Ito: "Simulation of GaN Schottky I-V-T characteristics Considering Inhomogeneous Barrier Height (in Japanese)"Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology. Vol. 29. 187-194 (2001)
Y. Ito: "Simulation of GaN Schottky I-V-T characteristics Considering Inhomogeneous Barrier Height (in Japanese)"Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology. Vol. 29. 187-194 (2001)
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Y. Ito：“考虑非均匀势垒高度的 GaN 肖特基 I-V-T 特性的模拟（日语）”北海道工业大学回忆录。
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