受激辐射损耗超分辨显微成像系统研究的新进展

受激辐射损耗超分辨显微成像系统研究的新进展
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DOI:
10.7498/aps.69.20200168
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发表时间:
2020
期刊:
物理学报
影响因子:
--
通讯作者:
屈军乐
屈军乐
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
王佳林;严伟;张佳;王璐玮;杨志刚;屈军乐

文献摘要

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由于受到衍射极限的影响,传统光学显微镜的分辨率被限制在半个波长左右.近二十年来出现了许多通过不同方法绕过光学衍射极限的超分辨成像技术,其中,受激辐射损耗显微(stimulated emission depletion microscopy, STED)通过引入一束环形损耗光来抑制荧光光斑外围荧光分子的发光,以达到减小点扩散函数的目的,实现超分辨成像.经过近些年的发展, STED系统无论从光束的产生、校准和扫描,还是最后的成像,都有了很大的发展.本文将简要介绍STED成像技术的基本原理,详述STED超分辨成像技术出现至今在光源、扫描及成像系统等方面的进展,以及在三维成像和多色成像方面的发展现状, STED技术与其他显微技术的结合.最后,本文对STED技术近几年的研究新进展进行了系统的论述,对STED技术未来的发展趋势进行了探讨.