UHV in-situとCs corrected HRMEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長、および微細構造の評価
UHV in-situとCs corrected HRMEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長、および微細構造の評価
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使用 UHV 原位和 Cs 校正 HRMEM 评估超薄 Si 氧化物薄膜上 Ge 纳米点的成核、生长和微观结构
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中信夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
趙星彪;川野晋司;齋藤晃;山崎順;田中信夫
