Device Physics and Simulation Techniques for Nanoscale SOI-MOSFETs
Device Physics and Simulation Techniques for Nanoscale SOI-MOSFETs
复制标题
纳米级 SOI-MOSFET 的器件物理和仿真技术
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Matsuto Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wei Wang;Hideaki Tsuchiya;Matsuto Ogawa
