MC simulation and fabrication of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor
MC simulation and fabrication of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor
复制标题
使用本征半导体中的弹道电子进行MC模拟和超快晶体管的制造
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Furuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
古屋 一仁;K. Furuya
