Space charge profiles and carrier transport properties in dopant-free GaN-based p-n junctions formed by distributed polarization doping
Space charge profiles and carrier transport properties in dopant-free GaN-based p-n junctions formed by distributed polarization doping
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分布式极化掺杂形成的无掺杂 GaN 基 p-n 结中的空间电荷分布和载流子传输特性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takeru Kumabe;Seiya Kawasaki;Hirotaka Watanabe;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
