Reduction of SiC surface oxides by a Ga molecular beam: LEED and electron spectroscopy studies☆
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Ga 分子束还原 SiC 表面氧化物：LEED 和电子能谱研究☆
DOI：
10.1016/0039-6028(86)90799-5
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发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
T. Parrill
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kaplan;T. Parrill
