Y.Nagamune,S.Tsukamoto,M.Nishioka,and Y.Arakawa: "Growth process and mechanism ofnanometer-scale GaAs dot-structures using MOCVD selective growth" Journal of Crystal Growth. 126. 707-717 (1993)
Y.Nagamune,S.Tsukamoto,M.Nishioka,and Y.Arakawa: "Growth process and mechanism ofnanometer-scale GaAs dot-structures using MOCVD selective growth" Journal of Crystal Growth. 126. 707-717 (1993)
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Y.Nagamune、S.Tsukamoto、M.Nishioka 和 Y.Arakawa：“使用 MOCVD 选择性生长的纳米级 GaAs 点结构的生长过程和机制”晶体生长杂志。
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