High compositional homogeneity in In-rich InGaAs nanowire arrays on nanoimprinted SiO2/Si (111)
High compositional homogeneity in In-rich InGaAs nanowire arrays on nanoimprinted SiO2/Si (111)
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DOI：
10.1063/1.4738769
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发表时间：
2012-07-23
影响因子：
4
通讯作者：
Koblmueller, G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hertenberger, S.;Funk, S.;Koblmueller, G.
我们报告了成分调整的 In1-xGaxAs (x
We report improved homogeneity control of composition-tuned In1-xGaxAs (x