Characteristics of nano electron source fabricated using beam assisted process
Characteristics of nano electron source fabricated using beam assisted process
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采用束流辅助工艺制造的纳米电子源的特点
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Murakami;M. Takai
在这项研究中，纳米电子源已被制作单独使用的束辅助无掩模工艺。该工艺使用电子束（EB）或聚焦离子束（FIB）在各种气体气氛中进行化学反应。纳米电子源的栅极直径、形状和发射极高度可以自由设计和制造。测量了所制备的纳米电子源的I-V特性。
In this study, nanoelectron sources have been fabricated using a beam-assisted maskless process alone. The process uses chemical reactions by electron beam (EB) or focused ion beam (FIB) in various gas atmospheres. The gate diameter, shape and emitter height of nano electron sources can be freely designed and fabricated. The I-V characteristics of fabricated nano-electron sources have been measured.