Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAsN Nanowire on Si(111) Substrate
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Si(111) 衬底上 GaAsN 纳米线的分子束外延生长
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and F. Ishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Araki;M. Yamaguchi;and F. Ishikawa
