Characterization ofanisotropic strain relaxation after mesaisolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NAand oil-immersion Raman method
Characterization ofanisotropic strain relaxation after mesaisolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NAand oil-immersion Raman method
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采用新开发的高数值孔径和油浸拉曼方法表征应变 SGOI 和 SiGe/Si 结构中隔离后的各向异性应变弛豫
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Tezuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Usuda;D. Kosemura;M. Tomita;A.Ogura;and T. Tezuka
