K. Aizawa, et al.: "Memory effect in ferroelectric-gate field effect transistors using 0.1μm-thick silicon-on-insulator substrates"Ferroelectrics. (in press). (2002)
K. Aizawa, et al.: "Memory effect in ferroelectric-gate field effect transistors using 0.1μm-thick silicon-on-insulator substrates"Ferroelectrics. (in press). (2002)
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K. Aizawa 等人：“使用 0.1μm 厚绝缘体上硅衬底的铁电栅极场效应晶体管中的记忆效应”（正在出版）。
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