Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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采用金属有机气相外延法通过超薄 AlN 氧化中间层制备 GaN 极性反转结构
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Uemukai and R. Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Murata;T. Tanikawa;M. Uemukai and R. Katayama
