Gallium Implantation Into Phosphorus-Doped SOI Layer by Focused Ion Beam and Its Seebeck Coefficient
Gallium Implantation Into Phosphorus-Doped SOI Layer by Focused Ion Beam and Its Seebeck Coefficient
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聚焦离子束镓注入磷掺杂SOI层及其塞贝克系数
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroya Ikeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuhei Suzuki;Kazutoshi Miwa;Faiz Salleh;Masaru Shimomura;Akihiro Ishida;Hiroya Ikeda
