ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs
ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs
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通过晶圆熔合在 Si 衬底上生产 1.3um InAs/GaAs
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田辺克明,D.Guimard,D.Bordel,岩本敏,荒川泰彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小西邦昭;野村政宏;熊谷直人;岩本敏;荒川泰彦;五神真;小林知尋,横山栄,矢野博夫,橘秀樹;田辺克明,D.Guimard,D.Bordel,岩本敏,荒川泰彦
