Scalability of dark current in silicon PIN photodiode
Scalability of dark current in silicon PIN photodiode
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硅 PIN 光电二极管暗电流的可扩展性
DOI：
10.1088/1674-1056/27/4/048501
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发表时间：
2018
影响因子：
1.7
通讯作者：
Guo Xia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Feng Ya-Jie;Li Chong;Liu Qiao-Li;Wang Hua-Qiang;Hu An-Qi;He Xiao-Ying;Guo Xia
通过测量不同光敏面积的硅PIN光电二极管的暗温电流-电压特性，研究了硅PIN光电二极管的导电机理。特征隧穿能E00为1.40 meV，1。
The mechanism for electrical conduction is investigated by the dark temperature-dependent current–voltage characteristics of Si PIN photodiodes with different photosensitive areas. The characteristic tunneling energy E00 can be obtained to be 1.40 meV, 1.