ペロブスカイト酸化物系ReRAMにおける水素イオン移動による抵抗変化
ペロブスカイト酸化物系ReRAMにおける水素イオン移動による抵抗変化
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钙钛矿氧化物基 ReRAM 中氢离子移动引起的电阻变化
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
野津 武志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.-P. Chen;J. Oda;Y. Kamiji;T. Anada;Z. Ma;野津 武志
