Routes to Grow Well‐Aligned Arrays of ZnSe Nanowires and Nanorods
Routes to Grow Well‐Aligned Arrays of ZnSe Nanowires and Nanorods
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DOI：
10.1002/adma.200401891
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发表时间：
2005-06
影响因子：
29.4
通讯作者：
Xitian Zhang;Zhuang Liu;Quan Li;Y. Leung;Kitman Ip;S. Hark
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xitian Zhang;Zhuang Liu;Quan Li;Y. Leung;Kitman Ip;S. Hark
通过金属有机物化学气相沉积，在不同的GaAs衬底上的ZnSe外延层上，在有和没有催化剂的情况下，可以生长出取向良好的ZnSe纳米线和纳米棒。金颗粒影响纳米结构的数量密度、生长方向和形貌。在不存在金催化剂的情况下，六方纳米棒沿这些方向沿着生长。外延层上的生长缺陷可能是纳米棒的成核位置。
Well-aligned ZnSe nanowires and nanorods can be grown on ZnSe epilayers on different GaAs substrates, with and without catalyst, by metal-organic chemical vapor deposition. Gold particles affect the number density, growth direction, and the morphology of the resulting nanostructures. In the absence of the gold catalyst, hexagonal nanorods grow along the directions. Growth defects on the epilayers may be the nucleation sites of the nanorods.