逆解析手法による単結晶Si薄膜の高温クリープ特性解明と触覚センサ開発への応用
逆解析手法による単結晶Si薄膜の高温クリープ特性解明と触覚センサ開発への応用
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利用逆分析方法阐明单晶硅薄膜的高温蠕变特性及其在触觉传感器开发中的应用
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山本賢祐，中田悟史，菅野公二，磯野吉正
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Osaka;S. Nakata;K. Yamamoto;T. Toyoda;K. Sugano;and Y. Isono;大坂憲司，中田悟史，山本賢祐，菅野公二，磯野吉正;山本賢祐，中田悟史，菅野公二，磯野吉正
